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电磁炉IGBT管好坏的检测方法IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短

TLP250驱动电路图、IGBT驱动电路　　在分立式IGBT驱动电路中，分立元件多、结构复杂、保护电路复杂、可靠性和性能都比较差，因此在实际应用中大多数采用集成驱动电路。常用

分立元器件构成的IGBT驱动电路　　通常设计的驱动电路多为采用脉冲变压器耦合，其优点是结构简单，适用于中小功率变换设备中的IGBT。缺点是不适用于大型功率变换设备中的大

工业电机驱动器的整体市场趋势是对更高效率，可靠性和稳定性的不断增长的需求。 功率半导体器件制造商继续寻求传导损耗和开关时间的突破。 增加绝缘栅双极晶体管（IGBT）传导损耗的一些权衡因素是：更高的短路电流水平，更小的芯片尺寸，更低的热容量和短路耐受时间。 这突出了栅极驱动器电路和过流检测和保护的重要性。 本文讨论了现代工业电机驱动器中短路保护的成功和可靠实施。

tip41c特斯拉线圈电路图介绍这是基于非常流行和巧妙简单的特斯拉线圈，被称为加拿大布鲁尔的Slayer Excitor。我的特斯拉线圈项目开始作为学校孩子的迷你特斯拉线圈演示。以

tip41c应用电路图:tip41c主要应用于电子开关线路，是NPN型三极管，一般用于开关管，tip41c功率大，驱动电路大，最大平均电流可达6A,最大峰值电流：10A;最大Vcbo=100V；最大Vceo=100V；正面看三极管，管脚排列为B、C、E。tip41c应用电路如下：

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一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路

MEMS器件体积小，重量轻，耗能低，惯性小，谐振频率高，响应时间短。MEMS系统与一般的机械系统相比，不仅体积缩小，而且在力学原理和运动学原理，材料特性、加工、测量和控

今天做了一个关于电机短路保护的电路，参考了经典电路：　　这是一个自锁的保护电路，短路时：Q3极被拉低，Q2导通，形成自锁，迫使Q3截止，Q3截至后面负载没有电压，这时有

MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。　　上图四项指标，第一项是

一、红外光谱　　　　人们肉眼看得见的光线叫可见光，可见光的波长为380～750nm。可见光的波长从短到长依次排序是紫光→蓝光→青光→绿光→黄光→橙光

晶振，是电路中重要的电子元件，控制着系统运行的节拍。晶振有多种类型，无源晶振是其中价格便宜而又应用广泛的一种。在使用示波器测量无源晶振输出频率时，常常会发现晶振

我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使

常用电子元器件故障分布　　这里总结摘录MIL-HDBK-338B，美军可靠性设计手册来为FTA做一些支持，这里按照以下的方式介绍：　　如果我们想要进行FTA的定量分析，一定要把可靠

在运放开环使用时， 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。　　优劣范围： 1µV 以下，属于极优秀的。 100µV 以下的属于较好的。最大的有

电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我们就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。　　一般可以使用在电源的正极串

　电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。　　三极管是流控型器

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共模电感工作原理
共模电感，也叫扼流圈，常用在开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。共模电感是一个以铁氧体等为磁芯的共模干扰抑制器件，它由两个尺寸相同，匝数相同的线

相比电容储能，电感储能的储能密度高，系统体积小，重量轻、造价降低，因此应用电感储能有潜力得到更高的能量利用率和脉动功率，并且电感储能系统的绝缘问题相对容易解决。目前被广泛应用于等

线圈在实际使用过程中，有相当数量品种的电感线圈是非标准件，都是根据需要有针对性进行绕制。自行绕制时，要注意以下几点：
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在绕制空心电感线圈时，要

1)灵敏度S
光敏器件的灵敏度是指器件输出电流（或电压）与入射光通贵（或照度）之比。灵敏度又分为单色灵敏度和积分灵敏度。当某一波长λ的光入射到光敏器件时，器件输出的光电流I&l