MOSFET和三极管ON状态的区别？

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概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
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Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

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大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。
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1首先当我们调节可调电阻R1，使R1=4.3K时，通过计算得到，Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,得出IC=Hfe*Ib=10mA,那么这个时候在调节R3，使R3=500欧姆，通过计算得到
Vc=5-(10mA*0.5K)=0V,接着我们来看三极管三个极的电压（Vb=0.7 Vc=0 Ve=0）2调节可调电阻R1，使R1=4.3K时，通过计算得到
Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,
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一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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一般说明
PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（开）<650m
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一般说明
PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（开）<180m&Om
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一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70m&Ome
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国内命名方法：3DG1815-Y,第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目 2：表示二极管；3：表示三极管；



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国产三极管的型号命名
国产三极管的型号命名由五部分组成
第一部分：国内用数字“3”表示三极管，国外用“2”表示三极管。
第二部分：用字母表示三极管的材料和极性。“A”表示PNP型锗材料，“B”表示NPN型锗材料，“C”表示PNP型硅材料，“D”表示NPN型硅材料。
第三部分：用字母表示三极管的类别。“X”表示低频小功率管表示高频小功率管，“D”表示低频大功率管，“A”表示高频大功率管。
第四部分：用数字表示产品的序号，序号不同的三极管其特性不同。
第五部分：用字母表示规格号。
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贴片三极管它是一款常用的半导体。它是有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）。有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
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最简单电磁阀驱动电路图（三极管驱动）

直流电磁阀管路中的流体必须和选用的电磁阀系列型号中标定的介质一致。流体的温度必须小于选用电磁阀的标定温度。
　　晶体管（
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最简单电磁阀驱动电路图（三极管驱动）

直流电磁阀管路中的流体必须和选用的电磁阀系列型号中标定的介质一致。流体的温度必须小于选用电磁阀的标定温度。
　　晶体管（
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三级管在电路中很常用，使用万能表分辨三级管的C/E极成为主键问题，一般情况下都是通过万用表测量的方法来判断，下面详细介绍一些方法：

一般大家非常容易找出三级管的基
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　　LM386是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器,主要应用于低电压消费类产品.为使外围元件最少,电压增益内置为20.但在1脚和8脚之间增加一只外接电阻和电容,便可将电压增益调为任意值,直至 200.输入端以地位参考
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　　6N1是一只中μ双三极管，μ=35，它具有R低、动态线性宽、频率特性好、噪声低等诸多优点，能承受较强信号输入，并能给出足够的输出，既可用于电压放大，又能用于倒相推动，在20世纪六七十年代可谓名噪一时，是各
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　　三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上
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　　此电路图是用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。电路中差动第二级采用型号为2SJ77的MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。其工作电流为6mA，但电源电压较高（±50V），晶体管会发热，因此要接入小型散热器。 :
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