MOS管驱动是指什么

工作电压 : 2.4V~5.2V,内建 256KHz RC oscillator 提供 1/4 偏压 1/8 COM 周期省电模式

64x8 LCD 駆动器内建 64x8 bit 显示内存,3-wire serial interface
软件程控
资料及指令模式自动增加读写地址 
概述
PC1625 是一个 64x8 的 LCD 駆动器. 可软件程控使其适用于多样化的 LCD 应
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PC1621B是一个32*4的LCD驱动器，可软体程控使其适用于多样化的LCD应用线路，仅用到3至4条讯号线便可控制LCD驱动器，除此之外也可介由指令使其进入省电模式

特色：

 工作电压：2.4-5.2V
 内建256KHz RC oscillator
 可外接 32.768KHz石英震荡器或256KHz频率
 可选择1/2,1/3 偏压，也可选择1/2,1/3或1/4的COM周期
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DC-DC升压电路在电子电路中是很常见的，无论是匹配不同器件的工作电压需要还是为了提高足够的输出功率，都必须用到升压电路。特别是便携式的电子产品，电源是电池供电，如单
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针对升压值13V以下的DC-DC升压应用需求，推广一款集成10A开关管的12.8V输出、大电流非同步DC-DC升压IC：HT7180。HT7180采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺制程，基于SOP8封装，工作效率高达90%以上，无需外加散热器，3.7V输入升压到12V，可稳定输出2A电流。
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兆科推荐高导热硅脂来帮助LED驱动器散热，高导热硅脂是电子元器件的热传递介质，如：CPU与散热器填隙、大功率三及管、可控硅元件二及管、基材铝、铜接触的缝隙处填充，均可降低发热元件的工作温度。
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深圳市永阜康科技有限公司针对大功率的DC-DC升压应用需求，推广一款集成15A开关管的26.8V、120W输出、大电流非同步DC-DC升压IC-HT7179。HT7179采用独到的电路研发技术以及先进的半导体工艺，重载时高达93%以上的工作效率，无需外加散热器，升压到26.8V，可稳定输出120W。
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GC4931F/S 是一款三相无刷直流电机预驱动芯片。 芯片可以驱动N型功率MOSFET，最高电源到 36V。芯片状态切换逻辑受三个相位差为 120°的霍尔输入确定。兼容替代A4931,MS4931芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流；堵转保护时间可调；过温保护，过压监测，同步整流等等。其中内置的同步整流器通过在衰减周期内，打开合适的低内阻的开关管以取代反向续流二极管来降低功耗。当芯片监测到过压时芯片会关断同步整流以减小变化电流引起的电源电压波动。
GC4931F/S 的逻辑输入脚有
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GC8837是一款12V直流电机驱动芯片，为摄像机，消费类产品，玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机驱动解决方案。芯片一般用了驱动一个直流电机或者使用两颗来驱动步进电机。
GC8837可以工作在0-12V的电源电压上，能提供高达1.5A持续输出或则2A峰值电流，睡眠模式功耗小于1Ua.
GC8837具有PWM（IN/IN）输入接口与行业标准器件兼容，并具有过温保护功能，芯片集成了过温保护，欠压保护，短路保护，过流保护等功能
芯片特点

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Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

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GC8549 是一款双通道 12V 直流电机驱动芯片，为摄像机、消费类产品、玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机驱动解决方案。芯片一般用来驱动两个直流电机或者驱动一个步进电机。GC8549 可以工作在 3.8~12V 的电源电压上，每通道能提供高达 1.5A 持续输出电流或者2.5A峰值电流， 睡眠模式下功耗小于1uA。GC8549 具有 PWM（IN/EN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护，欠压保护，短路保护，过流保护等功能。GC8549 内置 LDO，不需要逻辑电源，
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三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
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光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司［编者注：2014年8月更名为keysight（是德）公司］生产的栅极驱动电路产品之一，可用于驱动150A/1200V的IGBT，开关速度为0.5？s，有过流
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一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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一般说明
PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（开）<650m
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一般说明
PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（开）<180m&Om
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一般说明
PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（开）<70m&Ome
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GC4931F/S 是一款三相无刷直流电机预驱动芯片。 芯片可以驱动N型功率MOSFET，最高电源到 36V。芯片状态切换逻辑受三个相位差为 120°的霍尔输入确定。兼容替代A4931,MS4931芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流；堵转保护时间可调；过温保护，过压监测，同步整流等等。其中内置的同步整流器通过在衰减周期内，打开合适的低内阻的开关管以取代反向续流二极管来降低功耗。当芯片监测到过压时芯片会关断同步整流以减小变化电流引起的电源电压波动。
GC4931F/S 的逻辑输入脚有
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首先看看，GC9110T 是一款 12V 直流电机驱动芯片，为摄像机、消费类产品、玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机驱动解决方案。芯片一般用了驱动一个直流电机或者使用两颗来驱动一个步进电机。GC9110T 是 GC9110（低压 6V 驱动）的 12V 升级版本，客户根据应用电压与成本
来选择芯片。GC9110T 可以工作在 3.8~12V 的电源电压上，能提供高达 1.5A 持续输出电流或则2.5A 峰值电流，睡眠模式下功耗小于 1uA。GC9110T 具有 PWM（IN/IN
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GC8548 是一款双通道 12V 直流电机驱动芯片，为摄像机、消费类产品、玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机驱动解决方案。芯片一般用来驱动两个直流电机或者驱动一个步进电机。GC8548 可以工作在 3.8~12V 的电源电压上，每通道能提供高达 1.5A 持续输出电流或者 2.5A 峰值电流，睡眠模式下功耗小于1uA。GC8548 具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护，欠压保护，短路保护，过流保护等功能。GC8548 内置 LDO，不需要逻辑电源
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首先看看，GC9110T 是一款 12V 直流电机驱动芯片，为摄像机、消费类产品、玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机驱动解决方案。芯片一般用了驱动一个直流电机或者使用两颗来驱动一个步进电机。GC9110T 是 GC9110（低压 6V 驱动）的 12V 升级版本，客户根据应用电压与成本
来选择芯片。GC9110T 可以工作在 3.8~12V 的电源电压上，能提供高达 1.5A 持续输出电流或则2.5A 峰值电流，睡眠模式下功耗小于 1uA。GC9110T 具有 PWM（IN/IN
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