PW2308芯片，N沟道增强型MOSFET
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征 VDS=60V，ID=5A
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征
- VDS=60V，ID=5A
- RDS（开）<38mΩ@VGS=10V
- 提供3针SOT23-3封装
- 电池保护
- 负荷开关
- 自动照明
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TA=25°C，除非另有说明。）
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