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PW2308芯片,N沟道增强型MOSFET

时间:2021-01-14 16:37:18来源: 作者: 点击:
一般说明
PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征 VDS=60V,ID=5A
一般说明
PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
        特征
  • VDS=60V,ID=5A
  • RDS(开)<38mΩ@VGS=10V
  • 提供3针SOT23-3封装
应用
  • 电池保护
  • 负荷开关
  • 自动照明

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

电气特性(TA=25°C,除非另有说明。)


 

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本文地址:http://www.dziuu.com/Components/1610613PW2308.shtml


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