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TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片

时间:2023-08-01 11:24:37来源: 作者: 点击:次

概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般说明
RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
高功率和电流处理能力
ESD保护
表面安装包
无铅和绿色设备可用（RoHS兼容）

应用
PWM应用程序
负载交换机
电源管理
供电系统
TDM3478-1

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