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PW2309芯片,P沟道增强型MOSFET

时间:2021-01-14 16:28:21来源: 作者: 点击:
一般说明
PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V,ID=-3A
RDS(开)<180m&Om

一般说明
PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-60V,ID=-3A
RDS(开)<180mΩ@VGS=-10V
提供3针SOT23-3封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源

 

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

电气特性

容-源-电-子-网-为你提供技术支持

非常感谢用户kuakewei 的投稿!

本文地址:http://www.dziuu.com/Components/161061PW2309.shtml


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