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分享:单片机EMC设计的几点建议

时间:2011-11-08 19:52:20来源:原创 作者:admin 点击:
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  可编程的输出口的驱动器的最简单是的并联的一对驱动器,他们的MOS的Rdson不能,能输出的电流能力也不。我们在测试和使用的时候可以选择不同的模式。上目前的单片机至少有两种模式可选择,有些甚至可以有三种(强,中等,弱)当时序约束有足够的余量的时候,通过降低输出能力来减缓内部时钟驱动的边沿。   <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

 

  减少同步开关的峰值电流,和di/dt,一个重要的考虑因素降低内部时钟驱动的能力(其实放大倍数,穿通电流与之相关型很大)。降低时钟边沿的电流,将显着改善EMI。当然这样做的缺点时钟和负载的开通时间的变长使得单片机的平均电流。快速边沿和较高的峰值电流,时间更长边沿较慢的电流脉冲这两者做一个妥协。   <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

 

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  晶振的内部驱动(反向器)最好不要超过。   <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》


 

  问题,上前面也谈过了,当增益过大的时候会带来更大的干扰。   <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

 

  设计最小穿通电流的驱动器时钟,总线和输出驱动器应尽使得传统电流最小穿通电流【重叠电流,短路电流】,是从单片机在切换过程中,PMOS和NMOS导通时候,电源到地线的电流,穿通电流直接影响了EMI和功耗。   <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

 

  内容上是在单片机内部的,时钟,总线和输出驱动器,消除或减少穿通电流的方法是尽量先关闭一个FET,然后再开通一个FET。当电流较大时,额外的预驱动电路或电压摆率。   <<版权声明:本文由容源电子网(www_dziuu_com)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。》

 

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