如何用单片机制作电子密码锁电路

　　为了程序设计方便，引入了一个特征值Key，没有任何键按下时，令Key=0；当SB1、SB2有键按下时，令Key=1；当SB3按下时，令Key=2；当密码不正确时，令Key=3。特征值Key作为主函数和按键扫描函数之间联系的一条纽带。

　　输入密码由按键扫描函数完成，按键扫描函数的流程图见下图。

　　密码设置函数用来重新设置密码，新的密码仍然保存在EEPROM数据存储区，这样掉电后新设置的密码就不会丢失了。密码设置函数的流程图见下图。

　　在验证密码和重新设置密码时要对EEPROM进行读写，这可以用EEPROM读写函数来完成，两个函数的语句如下。

　　写EEPROM数据函数：

　　Void Write-EEPROM（ucharData，uintAddress）

　　（if（EECR&0x20）／／判断写使能是否为0

　　Delay Ms（10）;／／延时10ms

　　EEARH=Address》》8;／／送高地址

　　EEARL=Address&0x0000ff；//送低地址

　　EEDR=Data；／／送数据

　　EECR=EECR|0x04；／／主写使能置位

　　EECR=EECR|0x02；／／写使能置位

　　Delay Ms（10）；／／延时10ms

　　}

　　读EEPROM数据函数：

　　UcharRead_EEPROM（uint Address）

　　{uchar i；

　　if（EECR&0x01）／／判断读使能是否为0

　　Delay Ms（10）;／／延时10ms

　　EEARH=Address》》8；／／送高地址

　　EEARL=Address&0x00ff；／／送高地址

　　EECR=EECR|0x01;／／读使能置位

　　Delay Ms（10）;／／延时10ms

　　i=EEDR;／／读数据

　　return（i）;／／返回数据

　　}

　　上面只对几个主要的函数作了介绍，详细的源程序见本期配刊光盘。

　　3．电子密码锁实验首先将程序目标文件写入单片机，为了防止密码掉电后丢失，同时使密码能够重新修改，必须将密码写入EEPROM数据存储器。由于程序中使用了EEPROM数据存储器，因此程序在编译时除了生成HEX目标文件外，还会产生EEP目标文件。HEX目标文件写入Flash程序存储器，EEP目标文件写入EEPROM数据存储器。所以用PonyProg2000写芯片时，在打开目标文件时要分别打开目标文件Lock．hex和lock．eep，具体操作过程是：

　　（1）对芯片进行擦除；（2）用工具栏上的“Open Pro—gram Memory（FLASH）File按钮打开lock．hex文件;（3）用工具栏上的“Open Data Memory（EEPROM）File”按钮打开lock．eep文件；（4）单击工具栏中的“写器件”按钮即可把两个目标文件分别写入Flash程序存储器和EEPROM数据存储器。操作过程如下图（略）所示。

　　接下来接通实验板的电源，通过SB1、SB2输入12位密码，按一下确认键SB3，如果密码正确的话，LCD显示屏会显示“RIGHT”，同时PD7输出5秒钟的高电平，使发光二极管VD6点亮，电磁铁吸合，电子密码锁被打开，如下图（略）所示。如果密码不正确，LCD显示屏会显示“ERROR”，PD7输出仍为低电平，电子密码锁不能被打开。

　　如果要修改密码，必须先输入正确的密码，在VD7没有熄灭前按下SB3，并在VD7熄灭后再保持3秒钟，到时LCD显示屏会显示“SET_PASSWORD”，这时即可用SB1、SB2输入新的12位密码。下次使用时必须输入新的密码才能打开锁，这样经常变更密码可提高锁的安全性。

　　由于受按键数量的限制，密码采用了二进制，12位密码的组合也只有4096种，为了提高破解的难度，有两种方法：一种方法是修改程序使得连续输入几次密码错误后将电路锁定一段时间，延长破解的时间；另一种方法是密码采用十进制数，但这就要使用更多的按键，从而使用较多的I／0接口，电路必须进行调整。上述两种方法如何实施留给读者自己思考。

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