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PW2319芯片参数

时间:2021-02-25 16:17:51来源: 作者: 点击:
一般说明
PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征 VDS=-40V,ID=-5A RDS(开)<70m&Om
一般说明
PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。
 
特征
  • VDS=-40V,ID=-5A
  • RDS(开)<70mΩ@VGS=-10V
  • 提供3针SOT23-3封装
 
应用   
  • 电池保护
  • 负荷开关
  • 不间断电源

绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)

电气特性

 

www.dziuu.com

非常感谢用户kuakewei 的投稿!

本文地址:http://www.dziuu.com/Components/16142410714226.shtml


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    特征
    VDS=-40V,ID=-5A
    RDS(开)<70m&Ome
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